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来自 技术中心 2020-01-22 23:43 的文章
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TI发布业内首款80V半桥GaN FET模块

  ) 场效应晶体管 (FET) 功率级原型机。此次原型机由位于四方扁平无引线 (QFN) 封装内的一个高频驱动器和两个采用半桥配置的

  全新的LMG5200GaNFET功率级原型机将有助于加快下一代GaN电源转换解决方案的市场化,此方案为空间有限且高频的工业应用和电信应用提供更高的功率密度和效率。

  TI高压电源解决方案业务部副总裁Steve Lambouses表示:“过去基于GaN的电源设计面对的一大挑战是与驱动GaN FET有关的不确定性,以及由封装方式和设计布局布线所导致的寄生效应。我们将采用先进、易于设计封装的经优化集成模块、驱动器和高频控制器,组成的完整、可靠电源转换生态系统,从而使设计人员可以充分实现GaN技术在电源应用方面的全部潜能。”

  通常情况下,使用GaN FET在高频下进行开关的设计人员必须谨慎对待电路板布局布线,以避免振铃和电磁干扰 (EMI)。TI的LMG5200双80V功率级原型机极大地简化了这个问题,同时又通过减少关键栅极驱动回路中的封装寄生电感增加了功率级效率。LMG5200的特色就在于运用了高级多芯片封装技术,在优化后还能够支持频率高达5MHz的电源转换拓扑结构。

  易于使用的6mmx8mm QFN 封装无需底部填充,从而大大简化了生产制造过程。封装尺寸的减少进一步提升了GaN技术的应用价值,并且有助于扩充GaN电源设计的用途,包括从高频无线V电信和工业设计的许多全新应用。如需了解与TI完整GaN解决方案相关的更多信息,敬请访问。

   最高功率密度。相对基于硅工艺的设计,首款集成80V半桥GaN功率级将功率损耗减少了25%,从而实现了单级转换。

   增加可靠性的综合GaN专用质量保证计划。如需了解更多内容,敬请单击此处。

   关键栅极驱动回路中的最低封装寄生电感增加了功率级效率,并在减少EMI的同时提高dV/dt抗扰度。

   简化的布局布线和可制造性。易于使用的QFN封装免除了对于底部填充的需要,以解决高压间隔方面的顾虑,2da模块从而提高了电路板的可制造性并降低了成本。

  除了订购已上市的LMG5200评估模块 (EVM),设计人员使用针对LMG5200的PSpice和TINA-TI模块来仿真这项技术的性能和开关频率优势,以便更快地开始设计工作。

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